芯片射频工程师

部门 研发部 截至时间 2025-12-31
招聘人数 1 工作经验要求 3-5年
专业要求 电子科学与技术、微电子科学与工程、信息工程、计算机科学与技术相关专业 学历要求 全日制本科以上

职位详情:

岗位职责:

1、负责GaAs或者GaN工艺芯片的射频设计和仿真工作;
2、负责芯片的在片测试及常规实验;
3、负责射频类芯片电路的设计工作;
4、提交所负责模块的芯片研发报告方案。


任职要求:

1、工作认真负责、具有良好的沟通协调能力、团队合作精神、敬业精神;
2、一年及以上GaAs工艺或者GaN工艺射频类芯片开发相关工作经验,熟悉GaAs或者GaN工艺,对主要射频类芯片电路结构有比较深入了解;
3、电磁场与微波技术、微电子、通信等相关专业硕士及以上学历,熟悉GaAs工艺或者GaN工艺射频芯片开发,具有流片经验者优先;
4、熟练使用EDA设计工具、EM仿真工具、射频测试仪器
5、能独立选择合适的GaAs工艺或者GaN工艺,完成相关射频类芯片的设计和测试工作;
6、工作地址:成都市武侯区武兴四路 195 号 C8 数字经济产业园2栋1/2单元6楼。